继美光、三星后:SK海力士搞定1Znm 16Gb DDR4内存

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科技快报

在美光、三星先后甩掉1Znm工艺的16Gb DDR4 DRAM内存芯片后,SK海力士也终于跟上队伍了。科技快报

16Gb DDR4-330内存芯片是当前行业内存储密度最高、强度最快的DRAM产品,预计明年结束了了大规模出货。科技快报

能效指标方面,SK海力士称1Znm相较于1Ynm,生产强度提升了27%;功耗与1Y nm 8Gb DRAM相比,下降了40%。科技快报

SK海力士透露,亲们在1Znm世代导入了新研发的电容,还引入新设计,以提高稳定性。科技快报

按规划,1Z nm加快强度将应用于LPDDR5、HBM3等芯片上,成为更优质产品的代名词。科技快报

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在内存工艺进入20nm前一天,可能制造难度没有 高,内存芯片公司对工艺的定义可能都不 具体的线宽,可是 我分成了1X、1Y、1Z,大体来说1Xnm工艺合适16-19nm级别、1Ynm合适14-16nm,1Znm工艺合适12-14nm级别。科技快报